2026Q1营收USD 35.9B,环比+6.4%,略高于指引;以NT计环比+8.4% (CFO)
2026Q1毛利率66.2%,环比+3.9个百分点;营业利润率58.1%,环比+4.1个百分点;EPS TWD 22.08,ROE 40.5% (CFO)
制程收入占比:3nm 25%、5nm 36%、7nm 13%;7nm及以下先进制程合计74% (CFO)
平台收入:HPC环比+20%至占61%;智能手机环比-11%至26%;IoT环比+12%至6%;汽车环比-7%至4%;DCE环比+28%至1% (CFO)
2026Q1经营现金流约TWD 699B;资本支出TWD 351B(USD 11.1B);支付2025Q2现金股利TWD 130B;期末现金余额TWD 3T,环比+TWD 268B (CFO)
现金及有价证券TWD 3.4T/USD 106B;应收账款周转天数26天;存货周转天数80天,环比+6天,反映2nm爬坡与3nm强劲需求 (CFO)
2026资本预算趋向USD 52B–56B区间高端,以支持客户增长 (CFO)
2nm初始爬坡将在2026下半年稀释毛利率,全年稀释2%–3%;海外晶圆厂爬坡早期稀释2%–3%,后期扩大至3%–4% (CFO)
N3毛利率预计2026下半年达到公司平均;N2已于2025Q4进入量产且良率良好,在Hsinchu与Kaohsiung多阶段爬坡 (CFO), (CEO)
N3全球扩产:台湾台南Science Park新增3nm厂2027H1量产;Arizona二厂3nm建设完成、2027H2量产;Japan二厂3nm计划2028量产;并转换5nm设备支持3nm (CEO)
A14:相较N2同功耗速度提升10–15、同速度功耗改善25–30,芯片密度提升接近20%;2028年量产 (CEO)
Official guidance:2026Q2营收USD 39.0B–40.2B(中值环比+10%、同比+32%);毛利率65.5%–67.5%;营业利润率56.5%–58.5%;Q2税率约20%,全年税率17%–18%;2026全年营收以USD计增长高于30%;2026资本预算趋向USD 52B–56B区间高端 (CFO), (CEO)
Mgmt quotes:
| Metric | Value | Speaker/Context |
|---|---|---|
| 2026Q1营收 | USD 35.9B(环比+6.4%) | CFO/2026Q1 |
| 2026Q1毛利率 | 66.2%(环比+3.9个百分点) | CFO/2026Q1 |
| 2026Q1营业利润率 | 58.1%(环比+4.1个百分点) | CFO/2026Q1 |
| 2026Q1 EPS | TWD 22.08 | CFO/2026Q1 |
| 2026Q1 ROE | 40.5% | CFO/2026Q1 |
| 2026Q1资本支出 | TWD 351B / USD 11.1B | CFO/2026Q1 |
| 2026Q1经营现金流 | 约TWD 699B | CFO/2026Q1 |
| 存货周转天数 | 80天(环比+6天) | CFO/2026Q1 |
| 2026Q2营收指引 | USD 39.0B–40.2B | CFO/指引 |
| 2026Q2毛利率指引 | 65.5%–67.5% | CFO/指引 |
| 2026资本预算 | USD 52B–56B,趋向高端 | CFO/2026 |